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SCT040TO65G3
碳化硅功率MOSFET 650V，40mΩ典型值，35A，TO-LL封装
- 描述
- 该碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻，同时具有低电容和非常高的开关操作，可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT040TO65G3
- 商品编号
- C36180422
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | 288W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 853pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 89pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ |
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