R5F11CCCGBG#W0
R5F11CCCGBG#W0
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R5F11CCCGBG#W0
- 商品编号
- C3225789
- 商品封装
- TFBGA-36
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) | |
| CPU内核 | RL78 | |
| CPU最大主频 | 32MHz | |
| CPU位数 | 16 Bit | |
| 程序存储容量 | 32KB | |
| 程序存储器类型 | FLASH | |
| RAM容量 | 8KB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| EEPROM容量 | 4KB | |
| I/O数量 | 11 | |
| ADC(位数) | 10bit | |
| DAC(位数) | 12bit | |
| 振荡器类型 | 内置 | |
| 工作电压 | 2.4V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品特性
- 超低功耗技术，VDD = 2.4至5.5 V，具备HALT模式、STOP模式、SNOOZE模式
- RL78 CPU核心：采用3级流水线的CISC架构；最小指令执行时间可从高速0.03125 ~ μs（32 MHz运行，使用高速片上振荡器或PLL时钟）调整到超低速1 ~ μs（1 MHz运行，使用高速片上振荡器或PLL时钟）；支持乘法/除法/乘加指令；地址空间为1 MB；通用寄存器为(8位寄存器× 8)× 4组；片上RAM为8 KB
- 代码闪存：容量为32 KB，块大小为1 KB，禁止块擦除和重写（安全功能），具备片上调试功能和自编程功能（带引导交换功能/闪存屏蔽窗口功能）
- 数据闪存：容量为4 KB，支持后台操作（BGO），可在重写数据闪存时从程序存储器执行指令；重写次数为1,000,000次（典型值）；重写电压VDD = 2.4至5.5 V
- 高速片上振荡器：温度范围T' = -40至+105℃（G：工业应用），TA = -40至+125℃（M：工业应用）
- 电源管理和复位功能：具备片上电复位（POR）电路和片上电压检测器（LVD），可从7个级别中选择中断和复位
- 传输模式：包括正常传输模式、重复传输模式、块传输模式；激活源为中断源；具备链传输功能
- 事件链接控制器（ELC）：可将16种事件信号链接到指定的外设功能
- 串行接口：简化SPI（CSI）有2个通道；UART有2个通道（支持LIN总线的UART有1个通道）；I²C/简化I²C有2个通道
- 定时器：16位定时器有8个通道（定时器阵列单元（TAU）有6个通道，定时器RJ有1个通道，定时器RG有1个通道）；间隔定时器有1个通道；实时时钟有1个通道（具备99年日历、闹钟功能和时钟校正功能）；看门狗定时器有1个通道（可使用专用低速片上振荡器运行）
- 模拟前端（AFE）电源：传感器电源（SBIAS）输出为0.5 V至2.2 V
- 24位ΔΣ A/D转换器，带可编程增益仪表放大器：24位二阶ΔΣ A/D转换器（AVDD = 2.7至5.5 V），无杂散动态范围（SNDR）为85 dB（典型值）；正常模式下输出数据速率为488 sps至15.625 ksps，低功耗模式下为61 sps至1.953 ksps；可编程增益仪表放大器输入为3或4个通道（每个输入通道可指定差分输入模式或单端输入模式）；具备用于偏移调整的DAC；可变增益为x1至x64；具备片上温度传感器
- 10位A/D转换器：8位/10位逐次逼近A/D转换器（AVDD = 2.7至5.5 V）；模拟输入为8或10个通道、传感器电源（SBIAS）和内部参考电压；内部参考电压为1.45 V
- 可配置放大器：由3个运算放大器通道和一个可配置开关组成的矩阵配置（AVDD = 2.7至5.5 V）；可作为2通道或3通道通用运算放大器使用；运算放大器输出有3个通道；通用模拟I/O端口有5或6个通道；具备偏移电压校准
- D/A转换器：12位R - 2R电阻梯型D/A转换器（AVDD = 2.7至5.5 V），模拟输出有1个通道（通过可配置放大器）
- CMOS I/O：10至14个（N沟道开漏I/O [耐压VDD]有6个，CMOS I/O有7至11个，CMOS输入有3个）；可设置为TTL输入缓冲器和片上上拉电阻；具备不同电位接口，可连接2.5/3 V设备；具备片上时钟输出/蜂鸣器输出控制器
- 片上BCD（二进制编码十进制）校正电路