- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 半导体放电管(TSS) | |
| 开关电压(Vs) | - | |
| 保持电流(Ih) | 90mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 150A | |
| 断态电容(Co) | - |
商品概述
TISP83121D 是一款双栅极反向阻断单向晶闸管，专为保护双电压振铃 SLIC（用户线接口电路）免受由雷击、交流电源接触和感应引起的电话线路过电压影响而设计。 该器件芯片采用四层 NPNP 硅晶闸管结构，每一层都有电极连接。对于负过电压保护，TISP83121D 采用共阳极配置，待限制的电压施加到阴极 (K) 端子，负参考电位施加到栅极 1 (G1) 端子。对于正过电压保护，TISP83121D 采用共阴极配置，待限制的电压施加到阳极 (A) 端子，正参考电位施加到栅极 2 (G2) 端子。 TISP83121D 是单向保护器，为防止反向偏置，需要在受保护的线路导体和保护器之间使用一个串联二极管。此外，栅极参考电源电压需要一个极性合适的串联二极管，以防止 TISP83121D 发生钳位时电源短路。 在低电平电源交叉情况下，TISP83121D 的栅极电流会对栅极参考电源充电。如果参考电源无法吸收充电电流，其电位可能会升高到损坏的水平。为避免出现过高的电压，可在电源两端并联一个钳位二极管（齐纳二极管或雪崩击穿二极管）。或者，可使用接地集电极发射极跟随器，通过晶体管的 H_FE 值来降低充电电流。 这款单片保护器件采用离子注入外延平面技术制造，可提供一致的保护性能，并且在正常运行时对系统几乎无影响。
商品特性
- 高浪涌电流 - 150 A，10/1000 μs
- 250 A，10/700 μs
- 500 A，8/20 μs
- 引脚与 LCP3121 兼容
- 浪涌电流增加 50%
- 在二极管导向应用中可功能替代
- 小外形表面贴装封装