- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IGD08N120S7ATMA1
1.2kV 24A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：VCE = 1200 V。 IC = 8 A。 低饱和电压：VCEsat = 2 V（Taj = 150℃时）。 短路耐受时间：8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业驱动器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGD08N120S7ATMA1
- 商品编号
- C36148399
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 24A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 24A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@8A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@0.16mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.3nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 24pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 17pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 149ns | |
| 导通损耗(Eon) | 460uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 410uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |