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TSA18N50MR
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
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- 描述
- N沟道 500V 18A
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA18N50MR
- 商品编号
- C396660
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 235W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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