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TSF65R190S2
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- N沟道 650V
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSF65R190S2
- 商品编号
- C396659
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.5nC@480V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.805nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 多外延工艺SJ-FET
- 700V @TJ = 150 °C
- 典型 \overlineRDS (on) = 0.16Ω
- 超低栅极电荷(典型Qg = 36.5nC)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 背光照明
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
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