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TSF65R360S2
1个N沟道 耐压:650V 电流:13A
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- 描述
- N沟道 650V
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSF65R360S2
- 商品编号
- C396657
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
Truesemi超结场效应晶体管（SJ-FET）是新一代高压MOSFET系列产品，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。
- 超结场效应晶体管（SJ-FET）适用于各种AC/DC开关模式电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 700V @TJ = 150 °C
- 典型RDS(on) = 0.34Ω
- 超低栅极电荷(典型Qg = 43nC)
- 100%雪崩测试
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