SNJ55563AFJ

SN55563A和SN55564A是单片双极型场效应晶体管（BIDFET）集成电路，旨在驱动电致发光显示器的行电极。所有输入均与CMOS兼容。若正写入（POSITIVE WRITE）信号为高电平，Q输出端表现为开源输出，输出数据与输入数据同相；若正写入信号为低电平，Q输出端表现为开漏输出，输出数据与输入数据反相。为便于印刷电路板布局，SN55564A的输出序列与SN55563A相反。 通常，复合Vcc2、Vcc3和地信号由高压开关电路在外部生成。串行数据在时钟信号（CLOCK）的高到低转换时进入移位寄存器。使能（ENABLE）输入端为高电平时，允许其关联寄存器为高电平的输出端开启，当正写入信号为高电平时，相应的行连接到VCC2；当正写入信号为低电平时，相应的行连接到地。为获得更好的高电平输出电压（VOH）特性，VCC3可连接到VCC2，或比VCC2高5V至15V。移位寄存器的串行输出（SERIAL OUTPUT）可用于级联额外的器件。此输出不受使能或正写入输入的影响。 SN55563A和SN55564A的特性适用于-55℃至125℃的 工作温度范围。

• 每个器件可驱动34个电极
• 可选开源或开漏输出
• 输出额定电压为225V
• 输出电流能力为 -90 mA至150 mA
• 与CMOS兼容的输入
• 极低的稳态功耗

• 电致发光显示器的行电极驱动