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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
C30884EH
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 光电二极管 | |
| 直流反向耐压(Vr) | 290V | |
| 峰值波长 | 1060nm |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 频谱范围 | 400nm~1100nm | |
| 暗电流 | 75nA | |
| 工作温度 | -40℃~+70℃ |
商品概述
C30884EH是一款硅雪崩光电二极管，具有高响应度以及快速的上升和下降时间。由于下降时间特性没有“拖尾”，该器件的响应度在高达约400 MHz的调制频率下与调制频率无关。 该器件采用双扩散“穿通”结构制造，并针对1000纳米以下波长的高响应度进行了优化。 C30884EH采用改进的薄型TO - 5封装，通过平板玻璃窗进行气密密封。 该器件的快速时间响应特性和高响应度使其在包括光通信、激光测距和高速开关系统等多种应用中非常有用。
商品特性
- 高量子效率：在900nm波长处典型值为85%，在1060nm波长处典型值为10%
- 光谱响应范围（10%点）：400至1100nm
- 快速时间响应：上升时间典型值为1ns，下降时间典型值为1ns
- 宽工作温度范围：-40°C至70°C
- 气密密封薄型TO - 5封装
应用领域
- 光通信
- 激光测距
- 高速开关系统