DG419DY.TG002

Maxim重新设计的DG417/DG418/DG419精密CMOS单片模拟开关现在具有开关之间保证的导通电阻匹配（最大3Ω）和信号范围内保证的导通电阻平坦度（最大4Ω）。这些开关在任一方向上都能良好导通，并保证低电荷注入、低功耗以及至少2000V的ESD耐受性（按照方法3015.7）。新设计提供了较低的关断泄漏电流，温度为+85°C时小于5nA。

DG417/DG418是单刀单掷(SPST)开关。DG417通常是常闭的，而DG418通常是常开的。DG419是单刀双掷(SPDT)，带有一个常闭开关和一个常开开关。切换时间tON最大不超过175ns，tOFF最大不超过145ns。工作电源可以是单个+7V至+30V电源或双极性±4.5V至±20V电源。改进后的DG417/DG418/DG419采用44V硅栅工艺制造。

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