SN74ABT162260DLR
SN74ABT162260DLR
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- SN74ABT162260DLR
- 商品编号
- C3209310
- 商品封装
- SSOP-56-300mil
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 信号开关/编解码器/多路复用器 | |
| 类型 | - | |
| 电源极性 | 单电源 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 输入数/输出数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 12mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 32mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 传播延迟(tpd) | - | |
| 静态电流(Iq) | 1mA | |
| 功能特性 | 输出使能高阻；三态输出 |
商品概述
'ABT162260是12位至24位复用D型锁存器，用于需要将两条独立数据路径复用至单条数据路径或从单条数据路径解复用的应用中。典型应用包括微处理器或总线接口应用中的地址和数据信息的复用和/或解复用。这些器件在内存交错应用中也很有用。有三个12位I/O端口（A1 - A12、1B1 - 1B12和2B1 - 1B12）可用于地址和/或数据传输。输出使能（OE1B、OE2B和OEA）输入控制总线收发器功能。OE1B和OE2B控制信号还允许在A到B方向进行组控制。地址和/或数据信息可以使用内部存储锁存器进行存储。锁存使能（LE1B、LE2B、LEA1B和LEA2B）输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时，锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时，输入处的现有数据被锁存，并保持锁存状态，直到锁存使能输入再次变为高电平。B端口输出设计为可吸收高达12 mA的电流，包括25 Ω的串联电阻，以减少过冲和下冲。提供有源总线保持电路，以将未使用或浮空的数据输入保持在有效逻辑电平。为确保在电源开启或关闭期间处于高阻抗状态，OE（上划线）应通过上拉电阻连接到VCC；电阻的最小值由驱动器的灌电流能力决定。SN74ABT162260采用TI的收缩小外形封装（DL），在相同的印刷电路板面积内提供标准小外形封装两倍的I/O引脚数量和功能。SN54ABT162260的工作温度范围为 -55°C至125°C，SN74ABT162260的工作温度范围为 -40°C至85°C。
商品特性
- B端口输出具有等效的25 Ω串联电阻，因此无需外部电阻
- 属于德州仪器Widebus™系列产品
- 先进的EPIC - IIB™ BiCMOS设计显著降低了功耗
- ESD保护超过MIL - STD - 883C方法3015规定的2000 V；使用机器模型（C = 200 pF，R = 0）时超过200 V
- 闩锁性能超过JEDEC标准JESD - 17规定的500 mA
- 典型的VOLP（输出接地反弹）在VCC = 5 V、TA = 25°C时小于1 V
- 分布式VCC和GND引脚配置可最大程度减少高速开关噪声
- 直通架构优化了PCB布局
- 数据输入上的总线保持功能消除了对外部上拉/下拉电阻的需求
- 封装选项包括塑料300密耳收缩小外形（DL）封装和采用25密耳中心间距的380密耳细间距陶瓷扁平（WD）封装
应用领域
- 微处理器应用
- 总线接口应用
- 内存交错应用