74CBTLV16211DGV11

74CBTLV16211提供了一个双12位高速总线开关，带有独立的输出使能输入（1OE、2OE）。开关的低导通电阻允许以最小的传播延迟进行连接。当输出使能（nOE）输入为高电平时，开关处于禁用状态（高阻抗关断状态）。 为确保在上电或断电期间处于高阻抗关断状态，1OE和2OE应通过上拉电阻连接到VCC。电阻的最小值由驱动器的灌电流能力决定。 控制输入处的施密特触发器动作使电路在整个2.3 V至3.6 V的VCC范围内能够耐受较慢的输入上升和下降时间。 该器件针对使用IOFF的部分掉电应用进行了全面规格设计。 IOFF电路可禁用输出，防止器件断电时通过器件产生破坏性的回流电流。

• 电源电压范围为2.3 V至3.6 V
• 高抗噪能力
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8 - 5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8 - B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22 - A114F超过2000 V
  • MM JESD22 - A115 - A超过200 V
  • CDM AEC - Q100 - 011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的开关连接电阻为5Ω
• 数据I/O端口实现轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闩锁性能按JESD78B I类A级标准超过250 mA
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• TSSOP56封装：SOT364 - 1和SOT481 - 2
• 工作温度范围为 - 40°C至 + 85°C和 - 40°C至 + 125°C