温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NX3008NBKS,115
2个N沟道 耐压:30V 电流:350mA
- 描述
- 双 N 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NX3008NBKS,115
- 商品编号
- C396098
- 商品封装
- TSSOP-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 445mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 680pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.5pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为超小型SOT363（SC - 88）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 开关速度极快
- 低阈值电压
- 沟槽MOSFET技术
- 高达2 kV的静电放电(ESD)保护
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低侧负载开关
- 开关电路