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G15N10C
N沟道增强型功率MOSFET,电流:22A,耐压:100V
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- 描述
- N沟道,100V,15A,70mΩ@10V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G15N10C
- 商品编号
- C396095
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.167nF@0V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G15N10C采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 漏源电压VDS：100V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：22A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：< 90mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）：< 100mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器