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GT1003A
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- GT1003A采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于高频同步整流应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT1003A
- 商品编号
- C396093
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 206pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用超结先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为10V时，漏源导通电阻低（典型值56 mΩ）
- 栅极电荷低（典型值103nC）
- 改善的dv/dt能力
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-LED-UPS-充电-服务器