商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
本规范涵盖了PNP型硅开关晶体管的性能要求。为每个器件类型提供了四个级别的产品保证（JAN、JANTX、JANTXV和JANS），为每个未封装器件类型提供了两个级别的产品保证（JANHC和JANKC）。为JANTXV、JANS、JANHC和JANKC产品保证级别提供了对八个辐射级别的辐射硬度保证（RHA）规定。器件封装外形包括TO - 5、TO - 39等。除非另有规定，环境温度TA = +25℃。
商品特性
- 提供四个级别的产品保证（JAN、JANTX、JANTXV和JANS）用于封装器件，两个级别（JANHC和JANKC）用于未封装器件。
- 为JANTXV、JANS、JANHC和JANKC提供八个辐射级别的辐射硬度保证。
- 不同封装后缀对应不同封装形式和引脚长度，如无后缀为TO - 5封装，“S”后缀为TO - 39短引脚封装，“U4”后缀为表面贴装封装。
- 特定器件类型（2N3867、2N3867S等）最大总电离剂量（TID）可达100 krads(Si)（剂量率 = 50 - 300 rad(Si)/s）。
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