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DXT751Q-13
PNP 电压:60V
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- 描述
- 这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DXT751Q-13
- 商品编号
- C3200452
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 600mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
这款双极结型晶体管（BJT）专为满足汽车应用的严格要求而设计。
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO） > -60 V
- 集电极连续电流（IC）：-3 A（高值）
- 集电极脉冲峰值电流（ICM）高达 -6 A
- 功耗：2 W
- 互补 PNP 型：DXT651Q
- 完全无铅，完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过 AEC - Q101 标准认证，具备高可靠性
- 可提供生产件批准程序（PPAP）文件
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