2SC3585-T1B-A
2SC3585-T1B-A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SC3585-T1B-A
- 商品编号
- C3200104
- 商品封装
- SOT-23-3(TO-236-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 35mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 50@10mA,6V | |
| 特征频率(fT) | 10GHz | |
| 工作温度 | - |
商品概述
2SC3585是一款NPN型外延硅晶体管，专为VHF频段至UHF频段的低噪声和小信号放大器设计。2SC3585具有出色的功率增益和极低的噪声系数。2SC3585采用直接氮化钝化基极表面工艺（DNP工艺），这是NEC专有的新型制造技术，可在高电流值下实现出色的噪声系数。这使得它具有出色的相关增益和非常宽的动态范围。
商品特性
- 典型噪声系数（NF）1.8 dB @频率（f） = 2.0 GHz
- 典型功率增益（Ga）9 dB @频率（f） = 2.0 GHz