SSTX404S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 低饱和电压（晶体管）：VCE(sat)=0.3V（最大值）；Ic=150mA，IB=15mA
- 快速反向恢复时间（二极管）
- 可承受350mW的功率耗散
- 工作和存储结温范围：-55°C至150°C
- 表面贴装SOT-23封装
- 符合RoHS标准/绿色EMC
- 集电极电流：IC=0.6A