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ZXTP5240F-7
PNP 电流:2A 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -40V。 IC = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。 低饱和电压-225mV 最大 @ IC = -1A。 RCE(SAT) = 90mΩ 在 0.5A 时具有低等效导通电阻。 730mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。 负载开关
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTP5240F-7
- 商品编号
- C3199979
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 730mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 210@1A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 225mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |