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NVMFD027N10MCLT1G引脚图
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NVMFD027N10MCLT1G

NVMFD027N10MCLT1G

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFD027N10MCLT1G
商品编号
C35891323
商品封装
DFN8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on))21mΩ@10V
耗散功率(Pd)46W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11nC
输入电容(Ciss)720pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)300pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF