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FS3L50R07W2H3FB11
带快速沟槽/场截止IGBT3、发射极控制3二极管和PressFIT/NTC的EasyPACK模块，适用于3电平应用、电机驱动和太阳能应用，具备CoolSiC肖特基二极管Gen5、高速IGBT H3和低开关损耗特性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FS3L50R07W2H3FB11
- 商品编号
- C3198805
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 20mW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A；60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 1mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V；1.8V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.8V@15V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@15V；500nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Cres) | 51pF；95pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 37ns；30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 175ns；255ns | |
| 导通损耗(Eon) | 380uJ；960uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.2mJ；420uJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |