TPQ6502
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 30nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TPQ系列四晶体管阵列是通用型硅晶体管阵列，由四个独立器件组成。所有这些器件都采用14引脚双列直插式塑料封装。这种模制封装与大多数消费级集成电路所使用的封装相同，在插入印刷线路板时能提供出色的机械保护。
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