商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700W |
商品概述
硅N沟道增强型LDMOS晶体管，采用带陶瓷帽的2引脚SOT502A法兰封装。公共源极连接到安装法兰。
商品特性
- 高功率增益
- 易于功率控制
- 出色的耐用性
- 安装底座上的源极消除了直流隔离器，降低了共模电感。
应用领域
960 MHz至1215 MHz频率范围内的电子发射机应用，如Mode - S、TCAS和JTIDS、DME或TACAN。
| 属性 | 参数值 | |
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| 商品目录 | 三极管(BJT) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700W |
硅N沟道增强型LDMOS晶体管，采用带陶瓷帽的2引脚SOT502A法兰封装。公共源极连接到安装法兰。
960 MHz至1215 MHz频率范围内的电子发射机应用，如Mode - S、TCAS和JTIDS、DME或TACAN。