NSB4904DW1T2G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
商品概述
偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管和由两个电阻组成的单片偏置网络，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们。在NSB4904DW1T1G和NSB4904DW1T2G中，两个互补的BRT器件封装在SC - 88/SOT - 363封装中，该封装非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用。
商品特性
-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准