商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 特征频率(fT) | 150MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 内置偏置电阻（R₁ = 10 kΩ，R₂ = 10 kΩ）
- 无铅（符合 RoHS 标准）封装
- 符合 AEC Q101 标准
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 特征频率(fT) | 150MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 数量 | 1个PNP |