FDP030N06B

这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。

• RDS(on) = 2.6 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 75 A
• 开关速度快
• 栅极电荷低
• 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)
• 具备高功率和大电流处理能力
• 符合RoHS标准

• ATX/服务器/电信电源的同步整流
• 电池保护电路
• 电机驱动和不间断电源
• 可再生能源系统