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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC21551BDWKR

增强型隔离式双通道栅极驱动器

描述
是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有可编程死区时间和宽温度范围。设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流,用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧与两个输出驱动器通过5kV_RMS隔离屏障隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)至少为125V/ns。保护功能包括:电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能,以及集成的去毛刺滤波器,可抑制短于5ns的输入瞬变。所有电源均具有欠压锁定(UVLO)保护。凭借这些先进特性,该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21551BDWKR
商品编号
C35841108
商品封装
SOIC-14​
包装方式
编带
商品毛重
0.34克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置半桥
隔离电压(Vrms)5000V
负载类型MOSFET、IGBT、SiC
通道数2
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)4A
灌电流(IOL)6A
工作温度-40℃~+150℃
属性参数值
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)8ns
传播延迟 tpLH33ns
传播延迟 tpHL33ns
静态电流(Iq)1.4mA
CMTI(kV/us)125kV/us
驱动侧工作电压9.2V~25V
功能特性死区时间控制