ISL6525CB-T
ISL6525CB-T
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- ISL6525CB-T
- 商品编号
- C3192419
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 10.8V~13.2V | |
| 输出电流 | - | |
| 开关频率 | 200kHz | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃@(TA) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 是 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 开关管(内置/外置) | 外置 |
商品概述
ISL6525为针对高性能微处理器应用优化的DC-DC转换器提供全面的控制和保护。它设计用于在同步整流降压拓扑中驱动两个N沟道MOSFET。ISL6525将所有控制、输出调节、监控和保护功能集成到单个封装中。PGOOD信号的可编程延迟时间使其特别适用于VRM8.5应用中的VTT调节。 转换器的输出电压可精确调节至低至1.20V,在温度和线电压变化范围内的最大公差为±1%。 ISL6525提供简单的单反馈环路、电压模式控制,具有快速瞬态响应。它包含一个200kHz的自由运行三角波振荡器,频率可从低于50kHz调节至超过1MHz。误差放大器具有15MHz的增益带宽积和6V/μs的压摆率,可实现高转换器带宽,以实现快速瞬态性能。由此产生的PWM占空比范围为0%至100%。 ISL6525通过抑制PWM操作来防止过流情况。ISL6525通过使用上MOSFET的rDS(ON)来监控电流,从而无需电流检测电阻。
商品特性
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 采用+5V或+12V输入供电
- 简单的单环路控制设计 - 电压模式PWM控制
- 快速瞬态响应 - 高带宽误差放大器 - 占空比范围为0%至100%
- 出色的输出电压调节 - 1.20V内部参考电压 - 在线电压和温度变化范围内误差为±1%
- PGOOD信号可编程延迟
- 过流故障监控 - 无需额外的电流检测元件 - 使用MOSFET的rDS(ON)
- 转换器尺寸小 - 恒定频率操作 - 200kHz自由运行振荡器,频率可从50kHz编程至超过1MHz
- 14引脚SOIC封装
- 提供无铅产品(符合RoHS标准)
应用领域
- 各种微处理器的电源
- VRM8.5的VTT调节
- 高功率5V至3.xV DC-DC稳压器
- 低压分布式电源
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
近期成交0单
