HMC8191-SX

一款无源、宽带、同相和正交（I/Q）单片微波集成电路（MMIC）混频器，可作为接收机的镜像抑制混频器，也可作为发射机的单边带上变频器。其射频（RF）和本地振荡器（LO）频率范围为6 GHz至26.5 GHz，中频（IF）带宽为直流至5 GHz，非常适合需要宽频率范围、出色射频性能、设计简单（元件较少）且印刷电路板（PCB）占用空间小的应用。在设计中，单个器件可替代多个窄带混频器。 其固有的I/Q架构典型镜像抑制性能可达29.5 dBc，无需使用昂贵的滤波器来抑制不需要的边带。该混频器典型的LO到RF隔离度为43.5 dB，LO到IF隔离度为42 dB。此外，该混频器还可减少LO泄漏的影响，确保信号完整性。 作为无源混频器，它无需任何直流电源。与有源混频器相比，该器件的噪声系数更低，可确保高性能和高精度应用的最佳动态范围。 该器件采用砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造，使用混频单元和90°混合器。

• 无源、宽带、I/Q混频器
• RF和LO频率范围：6 GHz至26.5 GHz
• 宽IF频率范围：直流至5 GHz
• 单端RF、LO和IF
• 转换损耗：9.5 dB（典型值）
• 镜像抑制：29.5 dBc（典型值）
• 单边带噪声系数：12 dB（典型值）
• 输入三阶交调截点（IP3）：22 dBm（典型值）
• 作为下变频器时的输入1 dB压缩点（P1dB）：15 dBm（典型值）
• 输入二阶交调截点（IP2）：54 dBm（典型值）
• LO到RF隔离度：43.5 dB（典型值）
• LO到IF隔离度：42 dB（典型值）
• RF到IF隔离度：22 dB（典型值）
• 幅度平衡：0.3 dB（典型值）
• 相位平衡：0.8°（典型值）
• RF回波损耗：12 dB（典型值）
• LO回波损耗：22.5 dB（典型值）
• IF回波损耗：15.5 dB（典型值）

• 测试和测量仪器
• 微波点对点基站