MASTERGAN1
MASTERGAN1
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- 描述
- 具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- MASTERGAN1
- 商品编号
- C3189134
- 商品封装
- QFN-31(9x9)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 工作电压 | 4.75V~9.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
一款先进的电源系统级封装产品，采用半桥配置集成了一个栅极驱动器和两个增强型氮化镓（GaN）晶体管。 集成的功率氮化镓晶体管的导通电阻RDS(ON)为150 mΩ，漏源击穿电压为650 V，而嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成的自举二极管轻松供电。 其特点是在上下驱动部分均具备欠压锁定（UVLO）保护功能，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作，并且互锁功能可避免出现直通现象。 输入引脚的扩展范围便于与微控制器、数字信号处理器（DSP）单元或霍尔效应传感器连接。 该器件可在-40℃至125℃的工业温度范围内工作。 该器件采用紧凑的9x9 mm QFN封装。
商品特性
- 集成半桥栅极驱动器和高压功率氮化镓晶体管的600 V系统级封装
- QFN 9×9×1 mm封装，RDS(ON)=150 mΩ，IDS(MAX)=10 A
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 高低端均具备欠压锁定（UVLO）保护
- 内部自举二极管
- 互锁功能
- 具备用于关断功能的专用引脚
- 精确的内部时序匹配
- 3.3 V至15 V兼容输入，带迟滞和下拉功能
- 过温保护
- 减少物料清单
- 布局非常紧凑且简化
- 设计灵活、简便且快速
应用领域
- 开关模式电源
- 充电器和适配器
- 高压功率因数校正（PFC）、直流-直流和直流-交流转换器
- 不间断电源（UPS）系统
- 太阳能发电