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R2J20751NP#G0

峰值电流模式同步降压控制器

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描述: R2J20751NP是一款多芯片模块,集成了高侧MOS FET、低侧MOS FET和PWM控制器,适用于大电流高效率降压转换器。该器件支持宽输入电压范围（3.3 V至27 V）,最大平均输出电流为25 A,可编程开关频率范围为200kHz至1MHz。采用峰值电流模式拓扑,具有斜坡补偿功能和内置启动开关。适用于服务器和主板等应用。
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: R2J20751NP#G0
商品编号: C3187144
商品封装: QFN-40-EP(6x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.209克(g)

商品参数

商品概述

这款用于负载点（POL）应用的一体化系统级封装（SiP）是一个多芯片模块，在单个QFN封装中集成了高端MOS FET、低端MOS FET和PWM控制器。内置驱动电路优化了功率MOS FET的导通和关断时序，使该器件适用于大电流高效降压转换器。在简单的峰值电流模式拓扑中，功率闭环可实现稳定运行，添加简单元件即可轻松实现快速转换器。此外，相同的拓扑可用于实现具有均流功能的并联同步运行转换器和多相运行转换器。该封装还集成了高端自举开关（Boot开关），无需为此目的使用外部肖特基势垒二极管（SBD）。

商品特性

三芯片一体化封装，高效且节省空间
大平均输出电流（25 A）
宽输入电压范围：3.3 V至27 V
0.6 V参考电压，精度在2%以内
宽可编程开关频率：200 kHz至1 MHz
具有有源电流检测斜率补偿功能的峰值电流模式拓扑
电流检测误差：负载电流为15 A时，最大1.5 A
内置自举开关，用于自举通/断控制
过载条件下的打嗝式工作模式
跟踪功能
薄型小封装：QFN 40引脚（6 mm × 6 mm）
电源正常指示功能
过压保护
预过压保护（Pre-OVP）功能

应用领域

主板
服务器

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	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	工作电压	3.3V~27V
	输出电流	-
	开关频率	-

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+150℃@(TJ)
	同步整流	是
	输出通道数	-
	开关管(内置/外置)	-