商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 1GHz~4GHz | |
| 增益 | 17.5dB | |
| 噪声系数 | 4dB | |
| 工作电压 | 15V | |
| 工作电流 | 120mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 19.5dBm | |
| 工作温度 | -54℃~+85℃ | |
| 输入回波损耗 | - | |
| 输出回波损耗 | - | |
| IP3 | 29dBm | |
| 功能特性 | - |
商品概述
A45射频放大器采用分立混合设计，运用薄膜制造工艺，具备精确性能和高可靠性。 这种单级砷化镓场效应晶体管（GaAs FET）反馈放大器设计在宽频范围内展现出卓越的性能特性。采用射频扼流圈实现直流电源去耦。 TO - 8和表面贴装封装均为气密密封，可进行MIL - STD - 883环境筛选。
商品特性
- 高增益：17.5 dB（典型值）
- 低噪声：4.5 dB（典型值）
- 高输出功率：+19.5 dBm（典型值）
- 砷化镓场效应晶体管（GaAs FET）设计