- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BGM7LLMH4C15EE6340XUSA1
BGM7LLMH4C15EE6340XUSA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGM7LLMH4C15EE6340XUSA1
- 商品编号
- C3176403
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 728MHz~960MHz | |
| 增益 | 13.3dB | |
| 噪声系数 | 0.9dB | |
| 工作电压 | 1.5V~3.3V | |
| 工作电流 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | - | |
| 工作温度 | - | |
| 输入回波损耗 | - | |
| 输出回波损耗 | 17dB | |
| IP3 | - | |
| 功能特性 | - |
商品特性
- 低噪声系数：在869 ~ 894 MHz频率范围内，典型值小于0.9 dB
- 高增益：在869 ~ 894 MHz频率范围内，典型值为18.5 dB
- 高输出IP3：在869 ~ 894 MHz频率范围内，典型值为+10 dBm
- 低功耗：在VCC = 1.8 V时，典型值为4.0 mA
- 集成式匹配网络
- 采用TSNP-6-2封装
- 适用于LTE的硅锗低噪声放大器