BUK6C3R3-75C118
40V, 18A, 40V N沟道Trench MOSFET
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6C3R3-75C118
- 商品编号
- C3172105
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
G09P02L采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 可侧焊引脚便于光学焊接检测
- 静电放电(ESD)保护>2 kV HBM(H2类)
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路