MTC120W55GC-SMD

三相全桥，采用DCB隔离大电流封装的沟槽MOSFET。VDSS = 55 V，ID25 = 150 A，Rpson典型值 = 2.2 mΩ，型号为MTC120W55GC。

• 采用沟槽技术的MOSFET：低RDSon，优化的本征反向二极管。
• 封装：高度集成，大电流能力，用于MOSFET控制的辅助端子，用于焊接连接的端子，具有优化热传递的隔离DCB陶瓷基板。
• 节省空间和重量。
• 高度集成。
• 符合RoHS标准。
• 大电流能力。
• 用于MOSFET控制的辅助端子。
• 用于焊接连接的端子。
• 节省空间和重量。

• 汽车领域：电动助力转向，起动机发电机。
• 工业车辆领域：推进驱动器，叉车驱动器。
• 电池供电设备。