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FS100R12N2T4B11引脚图
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  • 焊盘图

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FS100R12N2T4B11

FS100R12N2T4B11

商品型号
FS100R12N2T4B11
商品编号
C3171180
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)-
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)100A
集电极脉冲电流(Icm)200A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))2.1V
栅极阈值电压(Vge(th))5.8V
栅极电荷量(Qg)800nC
属性参数值
输入电容(Cies)6.3nF
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)270pF
开启延迟时间(Td(on))130ns
关断延迟时间(Td(off))300ns
导通损耗(Eon)7.2mJ
关断损耗(Eoff)5.4mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+150℃

商品特性

  • 低VCEsat
  • Tviop = 150°C
  • 沟槽式IGBT 4
  • VCEsat具有正温度系数
  • Al₂O₃低热阻基板
  • 高功率和热循环能力
  • 集成NTC温度传感器
  • 铜基板

应用领域

  • 辅助逆变器
  • 电机驱动器
  • 伺服驱动器

数据手册PDF