SN74ACT7206L50RJ

这些器件采用双端口SRAM构建，具有内部写和读地址计数器，以先进先出（FIFO）的方式提供数据吞吐量。写和读操作相互独立，可以是异步的或同时进行的。空和满状态标志可防止存储器下溢和溢出，深度扩展逻辑允许将两个或更多器件的存储单元组合成一个FIFO，也可以进行字宽扩展。数据通过写使能（W）输入加载到存储器中，并通过读使能（R）输入从存储器中卸载。读写周期时间可达25 ns（40 MHz），数据访问时间为15 ns。这些器件特别适用于在两个以异步速率运行的总线之间提供数据通道。应用包括作为数据采集系统中模数转换器的速率缓冲器、总线与磁或光存储器之间的临时存储元件，以及通信系统的队列。提供9位宽的数据路径，用于传输字节数据以及奇偶校验位或数据包帧信息。当器件不用于深度扩展时，读指针可以独立于写指针复位，以便重新传输先前读取的数据。SN74ACT7203L、SN74ACT7204L、SN74ACT7205L和SN74ACT7206L的工作温度范围为0°C至70°C。

• 读写操作可以异步或同时进行
• 有不同的存储容量型号：SN74ACT7203L - 2048 × 9；SN74ACT7204L - 4096 × 9；SN74ACT7205L - 8192 × 9；SN74ACT7206L - 16383 × 9
• 快速数据访问时间为15 ns
• 读写频率高达40 MHz
• 支持位宽和字深度扩展
• 与IDT7203/7204完全兼容
• 具有重传能力
• 有空、满和半满标志
• TTL兼容输入
• 提供28引脚塑料DIP（NP）、塑料小外形（DV）和32引脚塑料J形引脚芯片载体（RJ）封装

• 数据采集系统
• 总线与存储设备间临时存储
• 通信系统