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LMG3426R050RQZR
600V 50mΩ GaN FET 集成驱动器、保护和温度报告功能
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LMG3426R050RQZR
- 商品编号
- C35561413
- 商品封装
- VQFN-54(12x12)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.866667克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
LMG342xR050 是集成了驱动器和保护功能的GaN FET，面向开关电源转换器设计，可帮助设计人员实现更高水平的功率密度和效率。LMG342xR050集成了硅驱动器，支持最高150V/ns的开关速度。集成式精密栅极偏置相比分立硅栅极驱动器可获得更高的开关安全工作区(SOA)。该集成设计结合低电感封装，可在硬开关电源拓扑中实现干净开关和最小振铃。可调栅极驱动强度支持将压摆率控制在20V/ns至150V/ns，可用于主动控制EMI并优化开关性能。LMG3426R050包含零电压检测(ZVD)功能，当实现零电压开关时，会通过ZVD引脚输出脉冲。LMG3427R050包含零电流检测(ZCD)功能，当检测到正漏源电流时，会通过ZCD引脚输出脉冲。高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET的温度通过可变占空比PWM输出报告，简化了器件负载管理。可报告的故障包括过流、短路、过温、VDD欠压锁定(UVLO)以及高阻RDRV引脚故障。
商品特性
- 通过JEDEC JEP180认证，适用于硬开关拓扑
- 600V GaN-on-Si FET，集成栅极驱动器
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns FET关断能力
- 支持3.6MHz开关频率
- 20V/ns 至 150V/ns压摆率，可优化开关性能并抑制EMI
- 工作电源范围为7.5V 至 18V
- 具备可靠保护功能
- 逐周期过流保护和锁存短路保护，响应时间小于100ns
- 硬开关工作下可承受720V浪涌
- 内置过温自保护和UVLO监测功能
- 具备高级电源管理功能
- 数字温度PWM输出
- LMG3426R050包含零电压检测(ZVD)功能，可助力软开关转换器设计
- LMG3427R050包含零电流检测(ZCD)功能，可助力软开关转换器设计
应用领域
- 开关电源转换器
- 商业网络和服务器PSU
- 商业电信整流器
- 太阳能逆变器和工业电机驱动
- 不间断电源