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2N7002KG
1个N沟道 耐压:63V 电流:300mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 高静电放电能力。 高速开关。 低电压驱动(4V)。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：N沟道增强型效应晶体管。 开关应用
- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- 2N7002KG
- 商品编号
- C393558
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 63V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 高静电放电防护能力
- 高速开关
- 低电压驱动（4V）
- 驱动电路简单
- 易于并联使用
- 无铅
- SOT-23封装
应用领域
- N沟道增强型场效应晶体管
- 开关应用
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