APT50GT120B2RDLG
APT50GT120B2RDLG
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT50GT120B2RDLG
- 商品编号
- C3152925
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 694W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 106A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 215ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.585mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.91mJ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款谐振模式组合中使用的雷电IGBT是新一代高压功率IGBT。雷电IGBT采用非穿通技术，具有出色的耐用性和超快的开关速度。