ADR435BRMZ-REEL7

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列是一系列XFET电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度的非线性变化被降至最低。 与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800 μA），所需的电源电压裕量也更低（2 V）。掩埋齐纳基准源的工作需要超过5 V的裕量。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准源是5 V系统的低噪声解决方案。 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列能够提供高达30 mA的输出电流，吸收高达 -20 mA的电流。它还配备了一个微调端子，可在±0.5%的范围内调节输出电压，且不影响性能。

• 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：输出2.500 V时为3.5 μV峰 - 峰值
• 无需外部电容
• 低温度系数 A级：最大10 ppm/°C B级：最大3 ppm/°C
• 负载调整率：15 ppm/mA
• 线性调整率：20 ppm/V
• 宽工作范围 ADR430：4.1 V至18 V ADR431：4.5 V至18 V ADR433：5.0 V至18 V ADR434：6.1 V至18 V ADR435：7.0 V至18 V
• 高输出源电流和吸收电流：30 mA和 -20 mA
• 宽温度范围：-40°C至 +125°C

• 精密数据采集系统
• 高分辨率数据转换器
• 医疗仪器
• 工业过程控制系统
• 光控电路
• 精密仪器