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G09P02L
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-9A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G09P02L
- 商品编号
- C3151763
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 620pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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(3000个/圆盘，最小起订量 5 个 )个
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