温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HYG200P10LR1B
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：100V / -80A。 RDS(ON)=20 mΩ(typ.) @ VGS=-10V。 RDS(ON)=24 mΩ(typ.) @ VGS=-4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且坚固。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：便携式设备和电池供电系统。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG200P10LR1B
- 商品编号
- C3148162
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 181nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 278pF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交28单