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SED8830A
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- N沟道，20V
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SED8830A
- 商品编号
- C393124
- 商品封装
- DFNWB-6L(2x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 69pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品特性
- 适用于单个MOSFET
- 漏源极击穿电压（VDSS） = 20 V
- 当栅源电压（VGS） = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON)=14.5mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 2.5 V时，导通电阻RDS(ON)=22mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理