GS66516T-MR
顶部散热650V E模式氮化镓晶体管
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- 描述
- 增强模式氮化镓硅功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。岛式技术单元布局实现了高电流管芯和高良率。GaNPx封装可在小尺寸封装中实现低电感和低热阻。顶部冷却晶体管,为高功率应用提供极低的结壳热阻。这些特性结合在一起,可提供高效的功率开关。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- GS66516T-MR
- 商品编号
- C35293157
- 商品封装
- SMD-4P,9x7.6mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
参数完善中
