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NTBL060N065SC1
650V碳化硅MOSFET
- 描述
- 特性：典型RDS(on) = 44 mΩ @ VGS = 18 V。 典型RDS(on) = 60 mΩ @ VGS = 15 V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 74 nC)。 低电容高速开关 (Coss = 133 pF)。 100%雪崩测试。 TJ = 175℃。应用：SMPS (开关模式电源)。 太阳能逆变器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBL060N065SC1
- 商品编号
- C35272445
- 商品封装
- H-PSOF8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.473nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 133pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ |
商品特性
- 典型导通电阻RDS(on)：当栅源电压VGS = 18V时为44mΩ；当VGS = 15V时为60mΩ
- 超低栅极电荷（QG(tot) = 74nC）
- 低电容高速开关（Coss = 133~pF）
- 100%雪崩测试
- 结温TJ = 175°C
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 太阳能逆变器
- 不间断电源（UPS）
- 储能设备