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NTMFS4D0N08XT1G
N沟道 耐压:80V 电流:119A
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- 描述
- 特性：低QRR，软恢复体二极管。 低RDS(on)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。 隔离式直流-直流转换器中的初级开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4D0N08XT1G
- 商品编号
- C35185549
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 119A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品特性
- 低反向恢复电荷(QRR)、软恢复体二极管
- 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流(DC-DC)和交流-直流(AC-DC)中的同步整流(SR)
- 隔离式直流-直流(DC-DC)转换器中的初级开关
- 电机驱动