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UCC21551DDWKR

增强型隔离式双通道栅极驱动器

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描述
是一款具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。它设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流,用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过5kV RMS隔离屏障与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)最低为125V/ns。保护功能包括:电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能,以及集成的去毛刺滤波器,可抑制短于5ns的输入瞬变。所有电源都有欠压锁定(UVLO)保护。凭借所有这些先进特性,该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21551DDWKR
商品编号
C35019722
商品封装
SOIC-14​
包装方式
编带
商品毛重
0.693396克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置半桥
隔离电压(Vrms)5000V
负载类型MOSFET、IGBT、SiC
通道数2
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)4A
灌电流(IOL)6A
工作温度-40℃~+150℃
属性参数值
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)8ns
传播延迟 tpLH33ns
传播延迟 tpHL33ns
静态电流(Iq)1.4mA
CMTI(kV/us)125kV/us
驱动侧工作电压19V~25V
功能特性死区时间控制

商品概述

UCC21551x 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。UCC21551x 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度(CMTI) 的最小值为 125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。凭借所有这些特性,UCC21551x 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

商品特性

  • 可配置为双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 结温范围:–40℃ 至 +150℃
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • VDD 输出驱动电源最高可达 25V,提供 5V、8V、12V 和 17V VDD UVLO 选项
  • 典型传播延迟 33ns
  • 最大脉宽失真 5ns
  • 最大 VDD 上电延迟 10µs
  • 针对所有电源提供 UVLO 保护
  • 电源时序快速启用

应用领域

  • 车载电池充电器
  • 高压直流/直流转换器
  • 汽车 HVAC,车身电子装置
  • 交流/直流和直流/直流隔离式转换器
  • 电机驱动和逆变器
  • 不间断电源 (UPS)