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SI8273GBD-IS1
4安培ISO驱动器，具有高瞬态抗扰度
- 描述
- 适用于驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2.5 kVRMS的耐受电压（符合UL1577和VDE0884标准）。这种技术实现了业界领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化较小、更好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还具备独立的上拉/下拉输出、欠压锁定（UVLO）故障时驱动器关断以及精确的死区时间可编程等独特功能
- 商品型号
- SI8273GBD-IS1
- 商品编号
- C35014098
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 工作电压 | 4.2V~30V | |
| 传播延迟 tpLH | 60ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpHL | 50ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2V | |
| 静态电流(Iq) | 7.9mA |